Приходите на выставку «Нефтегаз-2026», 2-5 марта Подробнее →

Источники электронов Kaufman & Robinson

Полный каталог оборудования Источники электронов Kaufman & Robinson. Официальный дистрибьютор в России.

Получить консультацию по Источники электронов Kaufman & Robinson
Оставьте контактный номер и с вами свяжется наш инженер

О Источники электронов Kaufman & Robinson

Описание

Источники электронов используются как нейтрализаторы или катоды для управления производством ионных и плазменных пучков.

Компания Kaufman & Robinson предлагает разнообразные модели источников электронов, отличающиеся низкой энергией и высоким током. В их ассортимент входят различные конфигурации, начиная от простейших термоэлектронных иммерсионных нитей и заканчивая неиммерсионными эмиттерами с полым катодом. Эти источники работают с инертными или реактивными газами, а их эмиссионный ток точно контролируется и измеряется с помощью контура обратной связи по току.

Благодаря своей точности и надежности, источники электронов находят широкое применение в устройствах, чувствительных к статическому электричеству, а также в среде, содержащей диэлектрические материалы.

Модель/
Характеристики

HFL-A01

HFM-A01 Sidewinder

SHC 1000

MHC 1000

LHC 1000

LFN 2000

Тип

Нитевой

Источники электронов с полым катодом


Установка

Иммерсионная

Неиммерсионная

Типовая энергия электронов, эВ

<40

<40

<50

<50

<50

<50

Газ в источнике

н/а

н/а

Инертные (Ar, Xe)

Инертные (Ar, Xe)

Инертные (Ar, Xe)

Инертные (Ar, Xe)

Структура эмиссии

Пространственная, зарядная, ограниченная

Пространственная, зарядная, ограниченная

Плазменный мост

Плазменный мост

Плазменный мост

Плазменный мост

Регулируемые параметры

Ток эмиссии

Рабочие газы

Инертные, активные, смеси

Типовой вид источника

end-Hall,
сеточные

end-Hall,
сеточные

end-Hall
анодного слоя,
сеточные

end-Hall
анодного слоя,
сеточные

end-Hall
анодного слоя,
сеточные

end-Hall
анодного слоя,
сеточные

Типовые процессы

PC,
SM,
IBAD,
DD,
IBE,
IBSD

PC,
SM,
IBAD,
DD,
IBE,
IBSD

PC,
SM,
IBAD,
IBE,
IBSD,
космический полет

PC,
SM,
IBAD,
DD,
IBE,
IBSD

PC,
SM,
IBAD,
DD,
IBE,
IBSD

PC,
SM,
IBAD,
DD,
IBE,
IBSD

Характеристики источников электронов с полым катодом

Модель/
Характеристики

SHC 1000

MHC 1000

LHC 1000

Газ в источнике

Инертные (Ar, Xe)

Инертные (Ar, Xe)

Инертные (Ar, Xe)

Максимальный ток эмиссии

>1 A

>5 A

>10 A

Номинальная длина

2.9"

3.6"

4.6"

Номинальная ширина

1.5"

2.3"

2.3"

Рабочие газы

Инертные,
активные,
смеси

Инертные,
активные,
смеси

Инертные,
активные,
смеси

Контроллер питания

HC12015A

HC12015A

HC12015A

Установка

Рядом с ионным источником

Рядом с ионным источником

Рядом с ионным источником

Опции

Неремонтопригодная версия


Неремонтопригодная версия

LFN 2000 — неиммерсионная модель источника электронов, которая крепится на стенке ионного источника. LFN 2000 оптимально работает в условиях, где нужен низкий уровень тока эмиссии, например в процессах с самыми малыми источниками и малыми токами ионного пучка.

Модель/
Характеристики

LFN 2000

Газ в источнике

Инертные (Ar, Xe)

Максимальный ток эмиссии

>1 A

Номинальная длина

1.7"

Номинальная ширина

2.3"

Рабочие газы

Инертные, химически активные, смеси

Контроллер питания

LF12002A

Установка

Ионный источник или произвольная установка

Конструкция

Модульная

Получить консультацию

Наши специалисты помогут подобрать оптимальное решение

Готовы подобрать идеальное решение для своего производства?

Получите бесплатную консультацию нашего инженера уже сегодня!