Источники электронов Kaufman & Robinson
Производитель: Kaufman & Robinson, Inc.
Типовая энергия электронов, эВ: <50
Тип установки: Ионный источник или произвольная установка
Регулируемые параметры: Ток эмиссии
Производитель: Kaufman & Robinson, Inc.
Типовая энергия электронов, эВ: <50
Тип установки: Рядом с ионным источником
Регулируемые параметры: Ток эмиссии
Производитель: Kaufman & Robinson, Inc.
Типовая энергия электронов, эВ: <50
Тип установки: Рядом с ионным источником
Регулируемые параметры: Ток эмиссии
Производитель: Kaufman & Robinson, Inc.
Типовая энергия электронов, эВ: <50
Тип установки: Рядом с ионным источником
Регулируемые параметры: Ток эмиссии
Описание
Источники электронов используются как нейтрализаторы или катоды для управления производством ионных и плазменных пучков.
Компания Kaufman & Robinson предлагает разнообразные модели источников электронов, отличающиеся низкой энергией и высоким током. В их ассортимент входят различные конфигурации, начиная от простейших термоэлектронных иммерсионных нитей и заканчивая неиммерсионными эмиттерами с полым катодом. Эти источники работают с инертными или реактивными газами, а их эмиссионный ток точно контролируется и измеряется с помощью контура обратной связи по току.
Благодаря своей точности и надежности, источники электронов находят широкое применение в устройствах, чувствительных к статическому электричеству, а также в среде, содержащей диэлектрические материалы.
|
Модель/ |
HFL-A01 |
HFM-A01 Sidewinder |
SHC 1000 |
MHC 1000 |
LHC 1000 |
LFN 2000 |
|
Тип |
Нитевой |
Источники электронов с полым катодом |
|
|||
|
Установка |
Иммерсионная |
Неиммерсионная |
||||
|
Типовая энергия электронов, эВ |
<40 |
<40 |
<50 |
<50 |
<50 |
<50 |
|
Газ в источнике |
н/а |
н/а |
Инертные (Ar, Xe) |
Инертные (Ar, Xe) |
Инертные (Ar, Xe) |
Инертные (Ar, Xe) |
|
Структура эмиссии |
Пространственная, зарядная, ограниченная |
Пространственная, зарядная, ограниченная |
Плазменный мост |
Плазменный мост |
Плазменный мост |
Плазменный мост |
|
Регулируемые параметры |
Ток эмиссии |
|||||
|
Рабочие газы |
Инертные, активные, смеси |
|||||
|
Типовой вид источника |
end-Hall, |
end-Hall, |
end-Hall |
end-Hall |
end-Hall |
end-Hall |
|
Типовые процессы |
PC, |
PC, |
PC, |
PC, |
PC, |
PC, |
Характеристики источников электронов с полым катодом
|
Модель/ |
SHC 1000 |
MHC 1000 |
LHC 1000 |
|
Газ в источнике |
Инертные (Ar, Xe) |
Инертные (Ar, Xe) |
Инертные (Ar, Xe) |
|
Максимальный ток эмиссии |
>1 A |
>5 A |
>10 A |
|
Номинальная длина |
2.9" |
3.6" |
4.6" |
|
Номинальная ширина |
1.5" |
2.3" |
2.3" |
|
Рабочие газы |
Инертные, |
Инертные, |
Инертные, |
|
Контроллер питания |
HC12015A |
HC12015A |
HC12015A |
|
Установка |
Рядом с ионным источником |
Рядом с ионным источником |
Рядом с ионным источником |
|
Опции |
Неремонтопригодная версия |
|
Неремонтопригодная версия |
LFN 2000 — неиммерсионная модель источника электронов, которая крепится на стенке ионного источника. LFN 2000 оптимально работает в условиях, где нужен низкий уровень тока эмиссии, например в процессах с самыми малыми источниками и малыми токами ионного пучка.
|
Модель/ |
LFN 2000 |
|
Газ в источнике |
Инертные (Ar, Xe) |
|
Максимальный ток эмиссии |
>1 A |
|
Номинальная длина |
1.7" |
|
Номинальная ширина |
2.3" |
|
Рабочие газы |
Инертные, химически активные, смеси |
|
Контроллер питания |
LF12002A |
|
Установка |
Ионный источник или произвольная установка |
|
Конструкция |
Модульная |